Bild: IBM

Durch einen neuartigen Aufbau soll die Leistung extrem steigen oder der Energiebedarf enorm sinken. Erste Test-Wafer hat IBM schon.

IBM und Samsung haben den Vertical Transport Field Effect Transistor, kurz VTFET, entwickelt. Verglichen zu aktuellen FinFet-Transistoren soll das neue Design entweder die Performance verdoppeln oder aber bei gleicher Geschwindigkeit die Leistungsaufnahme um 85 Prozent reduzieren.

Bei heutigen FinFet-Transistoren fließt der Strom von einer Seite zur anderen, was den Contacted Gate Pitch (CGP) zwischen Quelle und Abfluss samt dem dazwischen liegenden Durchgang trotz immer feinerer Herstellung physisch begrenzt. Mit der vertikalen Orientierung der VTFETs wird dieses Problem gelöst, zumal die ebenfalls Platz benötigenden und isolierenden Dummy-Gates mit wegfallen.

Die Simulation von IBM basiert dabei auf einem VTFET und einem FinFet-Transistor gleicher Fläche, wobei Letzterer einen Gate Pitch von unter 45 nm aufweisen soll; das wäre weniger als das, was für TSMCs N5 geschätzt wird - offizielle Zahlen gibt es nicht. IBM hebt hervor, dass der VTFET hinsichtlich der Elektrostatik und der parasitären Leckströme deutlich besser abschneide.